一种晶体管导通电阻高精度对比方法

本发明属于电力电子及半导体器件技术领域，提出了一种晶体管导通电阻高精度对比方法，包括：通过直流电压调整模块生成并输出能够快速调整数值且具备带负载能力的直流电压；栅极驱动模块基于所述直流电压和脉冲电压生成并输出电压能够快速调整的脉冲信号；通过功率模块向待测晶体管施加脉冲信号，并测量栅极驱动电压下的待测晶体管导通电阻；在微秒至纳秒量级延时内切换栅极驱动电压，基于所述脉冲信号测量切换栅极驱动电压下的待测晶体管导通电阻。本发明方法可以在脉冲电路中测试不同栅极驱动电压下待测晶体管导通电阻，测量延时从传统双脉冲电路的若干分钟缩减至若干纳秒，有效提高了晶体管可靠性评估电路的性能。