一种纳秒量级延时的晶体管可靠性测试系统及方法

AITNT
正文
推荐专利
一种纳秒量级延时的晶体管可靠性测试系统及方法
申请号:CN202511171475
申请日期:2025-08-21
公开号:CN120722149B
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
一种纳秒量级延时的晶体管可靠性测试系统及方法,属于晶体管测试技术领域。该测试系统分为3部分:分别是电压应力值及应力时长控制模块、电流控制模块、硬开关瞬态及导通电阻测试模块。分别用来控制待测晶体管所受漏极电压应力值及漏极电压应力时长;硬开关测试时电流大小;导通时长。测试系统通过硬件电路处理信号,可以将输入的单路脉冲信号转化出带有“死区时间”的两路反相的脉冲信号,提高了测试系统的安全性。只需对3个模块分别输入一个脉冲信号即可灵活调控待测晶体管漏极电压应力时长、电流、导通时长。仿真及实验证明漏极电压应力结束切换到测试状态的测量延时为纳秒量级,对于实时监测晶体管漏极电压应力后性能退化具有重要意义。
技术关键词
栅极驱动芯片 NMOS晶体管 肖特基二极管 可靠性测试系统 电流控制模块 功率晶体管 功率电路 逻辑电路 PMOS晶体管 应力 测试模块 稳压二极管 功率电感 脉冲 电压 电容 功率电阻
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号