计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质

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计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质
申请号:CN202511173764
申请日期:2025-08-20
公开号:CN121038366A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种计算版图中晶体管沟道总宽度的方法、系统及计算机可读存储介质,属于半导体领域。该计算版图中晶体管沟道总宽度的方法包括提供一原始设计版图,从所述原始设计版图中筛选出ESD晶体管。确定所述ESD晶体管的漏极区域;获取栅极与所述漏极区域相邻的目标边界。以所述目标边界为轴线,在所述栅极与所述漏极区域形成矩形区域。获取所有矩形区域的面积之和。基于所有矩形区域的面积之和与所述矩形区域的边长,获取所述ESD晶体管总沟道宽度。本发明通过准确获取所述ESD晶体管总沟道宽度,从而能够准确计算出原始设计版图中晶体管沟道总宽度,确保芯片具有静电漏电防护能力,提高芯片性能的可靠性。
技术关键词
ESD晶体管 晶体管沟道 版图 矩形 可读存储介质 栅极 逻辑运算模块 电子装置 计算机 标识 芯片 半导体 指令 关系 静电 通孔
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