HEMT芯片制备方法及系统

本发明公开一种HEMT芯片制备方法及系统，其中该方法包括：基于第一刻蚀方法在外延片上的外延层上进行纵向刻蚀，形成若干物理隔离沟槽，借助于物理隔离沟槽，将外延层分割为包括若干独立管芯单元的管芯阵列；对于任一管芯单元，基于第二刻蚀方法，在其侧面外延刻蚀出阶梯状结构；采用强电负性的离子流轰击阶梯状结构的表面，使得离子流中的活性离子体与阶梯状结构表面的悬挂键结合，形成键合层，以钝化阶梯状结构表面。上述方法，通过形成稳定的化学键合层，直接中和外延迟表面的悬挂键，表面态陷阱电荷减少，电子迁移路径被阻断，使得漏电流大幅降低；另外，基于所形成的键合层，还能有效优化阶梯状结构表面的电场分布，从而提高了击穿电压。