基于自旋电子的低功耗数据存储方法及系统

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基于自旋电子的低功耗数据存储方法及系统
申请号:CN202511181111
申请日期:2025-08-22
公开号:CN120690245B
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本发明涉及数据存储技术领域,具体为一种基于自旋电子的低功耗数据存储方法及系统。在自旋轨道耦合异质结中通过正交电磁场调控生成自旋流,异质结包括重金属层与具有垂直磁各向异性的铁磁层;将自旋流注入存储单元,存储单元包括铁磁自由层、拓扑绝缘体层和铁磁参考层。本发明通过自旋轨道耦合异质结的正交电磁场联合调控,将自旋霍尔电流的极化方向与铁磁层磁化方向形成非正交夹角,提高了自旋轨道扭矩的转换效率,同时通过梯度掺杂技术优化界面自旋弛豫时间,使自旋扩散长度突破传统异质结的物理极限。
技术关键词
数据存储方法 拓扑绝缘体 低功耗 存储阵列 超导纳米线单光子探测器 数据存储系统 梯度掺杂 演化算法 异质 电子 超导量子干涉仪 纳米天线阵列 空间相位调制 磁畴壁 自旋极化电流 电流驱动电路 交换偏置场 周期性凹槽 存储单元阵列
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沪ICP备2023015588号