一种半导体芯片虚拟产线仿真软件方法

AITNT
正文
推荐专利
一种半导体芯片虚拟产线仿真软件方法
申请号:CN202511182169
申请日期:2025-08-22
公开号:CN120974992A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本方案公开了一种提供的一种半导体芯片虚拟产线仿真软件方法,包括刻蚀模块、沉积模块、涂胶模块、光刻模块、清洗模块、去胶模块、离子注入模块、快速热处理模块、热氧化模块及CMP模块,以模拟半导体芯片的完整生产仿真,刻蚀模块引入等离子体密度、频率、德拜长度、泊松方程电势分布等模型对刻蚀工艺进行建模仿真,并通过修正项补偿的方式增强模型的仿真还原能力,沉积模块包含等离子体增强化学气相沉积PECVD、低压化学气相沉积LPCVD和物理气相沉积PVD模块,对沉积行为进行建模,并引入修正项补偿非理想因素,提升模型对非理想工艺环境的适应能力,最终输出各个模块的晶圆形貌图以及多物理场热力图,直观呈现晶圆在不同工艺参数下的生产效果。
技术关键词
半导体芯片 仿真软件 参数 产线 去胶模块 覆盖形貌 气相 刻蚀气体 刻蚀形貌 动态磁场 光刻胶 热力图 薄膜沉积速率 涂胶 后晶圆表面 物理 粒子
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号