摘要
本方案公开了一种提供的一种半导体芯片虚拟产线仿真软件方法,包括刻蚀模块、沉积模块、涂胶模块、光刻模块、清洗模块、去胶模块、离子注入模块、快速热处理模块、热氧化模块及CMP模块,以模拟半导体芯片的完整生产仿真,刻蚀模块引入等离子体密度、频率、德拜长度、泊松方程电势分布等模型对刻蚀工艺进行建模仿真,并通过修正项补偿的方式增强模型的仿真还原能力,沉积模块包含等离子体增强化学气相沉积PECVD、低压化学气相沉积LPCVD和物理气相沉积PVD模块,对沉积行为进行建模,并引入修正项补偿非理想因素,提升模型对非理想工艺环境的适应能力,最终输出各个模块的晶圆形貌图以及多物理场热力图,直观呈现晶圆在不同工艺参数下的生产效果。
技术关键词
半导体芯片
仿真软件
参数
产线
去胶模块
覆盖形貌
气相
刻蚀气体
刻蚀形貌
动态磁场
光刻胶
热力图
薄膜沉积速率
涂胶
后晶圆表面
物理
粒子