基于双耦合拓扑微腔的量子纠缠源制备方法、分析方法

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推荐专利
基于双耦合拓扑微腔的量子纠缠源制备方法、分析方法
申请号:CN202511184200
申请日期:2025-08-22
公开号:CN121000314A
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种基于双耦合拓扑微腔的量子纠缠源制备方法、分析方法。其中制备方法包括:选用氮化硅材料制作两个微环谐振腔,即微腔A与微腔B;将泵浦光从直波导输入到微腔A中;当泵浦光进入微腔A后,基于氮化硅材料所具备的三阶非线性效应,在满足相位匹配条件时,腔内会发生自发四波混频过程,在此过程中,泵浦光的光子相互作用,产生一对具有纠缠特性的信号光与闲置光。本申请利用双耦合拓扑微腔的拓扑保护特性,设计基于耦合拓扑微腔的连续变量量子纠缠生成方案。通过在耦合拓扑微腔中引入非线性光学效应,利用光学四波混频过程实现纠缠光子对的产生。本申请能够在耦合拓扑微腔中高效生成连续变量的量子纠缠态。
技术关键词
量子纠缠源 氮化硅材料 系统动力学模型 微环谐振腔 微腔 分析方法 连续变量量子纠缠 压缩模 非线性光学效应 波导 非线性动力学 量子纠缠态 劈裂结构 分解算法 间距 矩阵 密度 二氧化硅
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沪ICP备2023015588号