一种双波长LED芯片

本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体而言，涉及一种双波长LED芯片。双波长LED芯片包括N型半导体层、第一应力缓冲层、第一长波发光阱层、电流扩展层、第二应力缓冲层、第二短波发光阱层和P型半导体层；第一应力缓冲层包括若干层InGaN第一子层，由N型半导体层至P型半导体层的方向上，InGaN第一子层中In含量逐渐升高；和/或，第二应力缓冲层包括若干层InGaN第二子层，由N型半导体层至P型半导体层的方向上，InGaN第二子层中In含量逐渐升高。第一应力缓冲层和第二应力缓冲层中的In含量递增可以改善V‑pits团簇的现象，并可以将第一长波发光阱层和第二短波发光阱层的应力释放，减轻QCSE现象。