一种用于闪存芯片的耐久性测试方法及装置

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正文
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一种用于闪存芯片的耐久性测试方法及装置
申请号:CN202511187427
申请日期:2025-08-25
公开号:CN120748470B
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种用于闪存芯片的耐久性测试方法及装置,涉及半导体测试技术领域。包括信息获取:获取闪存芯片的存储类型和测试环境需求得到测试需求。本发明通过建立实时更新的数据库确保测试数据的多样性和不重复性,结合闪存芯片的存储类型和工作环境动态设定测试数据类型权重及环境参数,体现测试为可动态调节,实现精准的耐久性测试,在测试过程中,通过交叉验证实时监控芯片状态并辅助定位故障点,同时收集状态与耐久性的关联数据,构建预测模型,以显著提升测试效率与准确性,通过模型预测可提前评估芯片寿命,优化产品设计;辅助故障定位功能加速缺陷分析,降低研发成本为闪存芯片的可靠性验证和性能改进提供系统性支持。
技术关键词
闪存芯片 耐久性测试方法 数据库建立方法 模型建立方法 信息获取方法 交叉验证方法 场景 辅助故障定位 耐久性测试装置 数据处理方法 判断写入数据 半导体测试技术 优化产品设计 数据写入闪存 训练数据处理 构建预测模型 定位故障点 评估芯片 基础
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