一种双层圆柱型屏蔽系统及优化方法

AITNT
正文
推荐专利
一种双层圆柱型屏蔽系统及优化方法
申请号:CN202511190418
申请日期:2025-08-25
公开号:CN120936011A
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种双层圆柱型屏蔽系统及优化方法,涉及静磁屏蔽技术领域。所述双层圆柱型屏蔽系统呈圆柱型的包覆在屏蔽对象外侧,所述双层圆柱型屏蔽系统从内到外依次包括:第一屏蔽层、间隙层和第二屏蔽层。本申请设置了双层屏蔽结构,通过逐层屏蔽残余磁通量,减少漏磁现象,提高了屏蔽效果。
技术关键词
屏蔽系统 屏蔽层 屏蔽效能 屏蔽材料 对象 求解算法 双层屏蔽结构 参数 静磁场 漏磁现象 屏蔽技术 数据
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号