一种高强度低电阻率的银金铂铝合金及其制备方法

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一种高强度低电阻率的银金铂铝合金及其制备方法
申请号:CN202511194349
申请日期:2025-08-25
公开号:CN120888808A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种高强度低电阻率的银金铂铝合金及其制备方法,涉及半导体技术领域。该银金铂铝合金元素的组成按质量百分数计为:60‑75%的Ag、10‑25%的Au、5‑10%的Pt、5‑8%的Al、0.2‑0.5%的Re、0.1‑0.3%的Ti,具体制备方法为:对金属原料表面进行预处理,之后置于惰性气氛中存储;对金属原料进行真空分布熔炼得到合金液;对合金液进行模具浇铸并缓慢冷却,之后对冷却的铸锭进行热加工得到棒材;对棒材进行多道次冷加工与中间退火得到丝材;再对丝材进行双级时效处理得到高强度低电阻率的银金铂铝合金。本发明通过制备工艺与金属原料的协同作用,制备得到维氏硬度可达400‑430HV,电阻率为2.3×10‑8‑2.9×10‑8Ω·m的银金铂铝合金,满足芯片测试探针对兼具高耐磨性、低信号衰减特性的使用需求。
技术关键词
高强度低电阻率 合金液 熔炼装置 芯片测试探针 铸锭 时效装置 拉拔 热轧 原料预处理 模具 丝材 真空度 保温装置 超声频率 气氛 加热 元素
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