摘要
本发明公开一种高强度低电阻率的银金铂铝合金及其制备方法,涉及半导体技术领域。该银金铂铝合金元素的组成按质量百分数计为:60‑75%的Ag、10‑25%的Au、5‑10%的Pt、5‑8%的Al、0.2‑0.5%的Re、0.1‑0.3%的Ti,具体制备方法为:对金属原料表面进行预处理,之后置于惰性气氛中存储;对金属原料进行真空分布熔炼得到合金液;对合金液进行模具浇铸并缓慢冷却,之后对冷却的铸锭进行热加工得到棒材;对棒材进行多道次冷加工与中间退火得到丝材;再对丝材进行双级时效处理得到高强度低电阻率的银金铂铝合金。本发明通过制备工艺与金属原料的协同作用,制备得到维氏硬度可达400‑430HV,电阻率为2.3×10‑8‑2.9×10‑8Ω·m的银金铂铝合金,满足芯片测试探针对兼具高耐磨性、低信号衰减特性的使用需求。
技术关键词
高强度低电阻率
合金液
熔炼装置
芯片测试探针
铸锭
时效装置
拉拔
热轧
原料预处理
模具
丝材
真空度
保温装置
超声频率
气氛
加热
元素