用于片上超声模组的封装结构及方法

本发明提供了一种用于片上超声模组的封装结构及方法，包括CMOS裸片；塑封结构，用于塑封CMOS裸片；塑封结构上贯穿设置有用于对CMOS裸片进行扇出的所述金属柱，塑封结构上具有用于压电陶瓷换能器阵列进行收发信号的通道；第一再分布层，第一再分布层形成于所述CMOS裸片正面的塑封结构上，用于将CMOS裸片的焊盘连接至所述金属柱；第二再分布层，第二再分布层形成于CMOS裸片背面的塑封结构上，用于将金属柱连接至用于连接外部基板的焊接件。压电陶瓷换能器阵列，设置在所述第一再分布层上且通过第一再分布层内贯穿设置的电连接通道连接所述CMOS裸片。本发明使得超声芯片便于与电路板的连接，降低对电路板的制程要求，降低了超声芯片的信号延迟。