一种高质量铌酸锂端面耦合器及其制备方法

本发明公开了一种高质量铌酸锂端面耦合器及其制备方法，包括从下至上的衬底，下包层，波导层，上包层；上包层将波导层包裹在内，位于上包层上，形成整体在衬底上，衬底宽度小于下包层以及上包层的宽度，本发明使用紫外光刻技术获得的解理芯片的图案尺寸控制更加精确，可以精确到0.1微米级，使得芯片的解理更加精确，增加良率，等感应耦合等离子体刻蚀工艺来加工铌酸锂端面耦合器，垂直度好，粗糙度小，均匀性好，端面质量好，紫外光刻技术获得的解理芯片的图案后，再使用感应耦合等离子体刻蚀工艺来直接将衬底刻蚀穿透到底，来达到解理芯片的目的，使整片晶圆上的上百个芯片同时解理完成，不用再每一片单独加工，使得加工速度有极大的提升。