一种耐高压的eUSB中继芯片及其工作方法

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一种耐高压的eUSB中继芯片及其工作方法
申请号:CN202511198695
申请日期:2025-08-26
公开号:CN120687395B
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种耐高压的eUSB中继芯片及其工作方法,包括eUSB驱动器、状态机和控制模块、USB驱动器、耐高压模块,所述耐高压模块连接在USB驱动器与对外USB端口之间;所述耐高压模块包括第一高压NMOS、第二高压NMOS及栅极驱动模块,第一高压NMOS的漏端连接对外USB端口的UD+,第一高压NMOS的源端连接USB驱动器的D+端,第二高压NMOS的漏端连接对外USB端口的UD‑,第二高压NMOS的源端连接USB驱动器的D‑端。本发明的eUSB中继芯片可以承受意外触碰和瞬时高压,具有集成度高、可靠性高、成本低、体积小、低功耗等效果。
技术关键词
USB驱动器 栅极驱动模块 耐高压 芯片 状态机 控制栅极 高压BCD工艺 控制模块 端口 电压 输出端 速率 模式 低功耗 数据 电源
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