模拟仿真方法和装置、电子设备和存储介质

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推荐专利
模拟仿真方法和装置、电子设备和存储介质
申请号:CN202511203385
申请日期:2025-08-27
公开号:CN120706329B
公开日期:2025-11-21
类型:发明专利
摘要
本公开提供一种模拟仿真方法和装置、电子设备和存储介质,涉及半导体技术领域。模拟仿真方法包括:确定目标器件的化学气相沉积过程的预测数据,目标器件包括目标表面,预测数据包括目标表面中的多个表面节点各自的预测沉积速率,预测数据是通过稳态的CFD仿真过程得到的;基于多个表面节点各自与目标表面的中心节点之间的距离,对多个表面节点进行划分得到多个点集,多个点集各自对应的距离区间互不重叠;基于多个点集各自包括的表面节点的预测沉积速率,确定多个点集各自对应的平均沉积速率;基于多个点集各自对应的平均沉积速率、以及多个点集各自对应的距离区间,得到目标器件的化学气相沉积过程的仿真结果。
技术关键词
模拟仿真方法 节点 速率 气相 模拟仿真装置 仿真模型 稳态 数据 坐标系 电子设备 处理器 可读存储介质 模块 指令 炉体 网格 实体 存储器 计算机
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