一种以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜

本发明涉及钻石面碳化硅技术领域，且公开了一种以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜，介面处硅与钻石原子的比率由100%逐渐减小至约0%，原子比率调整的沉积方法乃用微波等离子体内完成，其硅碳比乃由ALD控制的硅烷比甲烷混入主体的氢气而逐层沉积，钻石膜可外延加厚，钻石膜可为多晶或单晶，钻石膜可用为半导体的芯片或其散热片，如上的钻石膜可用为生长培育钻石的子晶；本发明所述的以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜，以高硬度材料的共价键与热点区的原子共振，这样就可以使其振动频率大幅度下降，因而可避免热点逐渐破坏了芯片的功能。