一种3D硅桥互连重构封装结构及其制造方法

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一种3D硅桥互连重构封装结构及其制造方法
申请号:CN202511210921
申请日期:2025-08-27
公开号:CN121035099A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种3D硅桥互连重构封装结构及其制造方法,属于微电子制造技术领域。该3D硅桥互连重构封装结构包括垂直互连基板,垂直互连基板为再生Si晶圆,垂直互连基板上开设有两个独立的凹槽,凹槽的两侧各开设有一组垂直分布的盲孔,盲孔的内部填充电镀铜,凹槽内设置有硅桥。应用该3D硅桥互连重构封装结构能够有效地解决现有技术中硅桥与用于硅桥埋入的基板间因热膨胀系数不匹配导致的热应力问题,以及有机基板受热变形翘曲的问题。
技术关键词
封装结构 重构 焊盘结构 互连结构 基板 芯片 凹槽 电镀铜 载板 盲孔 种子层 金属化 凸点
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