一种MEMS电场传感器的非线性高阶振动模态调制方法

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一种MEMS电场传感器的非线性高阶振动模态调制方法
申请号:CN202511218506
申请日期:2025-08-28
公开号:CN121027634A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种MEMS电场传感器的非线性高阶振动模态调制方法,涉及电场传感器技术领域。所述方法包括:构建MEMS电场传感器谐振结构的三维仿真模型,提取多阶模态的振型特征;根据各阶模态的振型特征,优化电场传感器中驱动电极与感应电极的结构及排布方式;对驱动电极施加与目标高阶模态相适配的交直流组合驱动电压,使电场传感器工作在目标高阶模态的Duffing非线性状态;采集感应信号并进行处理,计算性能指标:灵敏度、本底噪声和分辨力,对电场传感器性能进行评估。本发明通过驱动电场传感器在高阶模态下工作,并进入Duffing非线性响应区,实现对外加电场的高灵敏、高分辨力检测,同时有效抑制噪声。
技术关键词
谐振结构 差分放大器 三维仿真模型 感应电流相位 屏蔽电极 排布方式 电压 电场传感器技术 跨阻放大器 非线性响应特性 受控电场 信号处理 系统噪声
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沪ICP备2023015588号