一种场效应晶体管生物传感器及其制备方法

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一种场效应晶体管生物传感器及其制备方法
申请号:CN202511228064
申请日期:2025-08-29
公开号:CN121027265A
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及生物传感器领域,具体而言,涉及一种场效应晶体管生物传感器及其制备方法。一种场效应晶体管生物传感器,包括场效应晶体管芯片、表面修饰层和生物探针层;所述场效应晶体管芯片包含半导体沟道层,所述表面修饰层位于所述半导体沟道层的表面;所述生物探针层包含双端适配体,所述双端适配体的5'端和3'端均具有修饰基团‑SH,所述双端适配体通过修饰基团‑SH与所述表面修饰层相连接。本发明的生物传感器,采用双端‑SH修饰适配体,可显著降低目标分子结合位点距半导体表面的距离,可有效克服德拜屏蔽效应,从而大幅提高生物传感器的灵敏度,降低器件的检测极限,提高稳定性。
技术关键词
场效应晶体管芯片 半导体沟道层 表面修饰 氨基硅烷修饰 双功能 生物传感器 探针 交联剂 还原剂 氨丙基三乙氧基硅烷 溶液 衬底 结合体 基团 膦盐酸盐 马来酰亚胺
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