一种Micro-LED芯片异质热压键合方法和结构

本申请公开了一种Micro‑LED芯片异质热压键合方法和结构，该方法包括步骤：准备单颗Micro‑LED芯片和单颗驱动基板，Micro‑LED芯片包括衬底层与像素层且二者背向设置，驱动基板包括器件层；在像素层第一表面和器件层第一表面分别制备第一、第二AuSn合金凸点，合金质量比为Au：Sn=80%：20%；通过倒装键合工艺对两电极热压键合形成电极键合区；填充电极键合区外空隙形成封胶结构区，电极键合区和封胶结构区交替分布构成键合连接层；剥离衬底层以暴露像素层第二表面，采用喷涂工艺在该表面制备荧光转换层。本申请能够实现可靠异质集成，增强结构稳定性，适配批量制造，满足车用智能化照明需求。