一种半导体器件刻蚀结构预测方法及设备、储存介质

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一种半导体器件刻蚀结构预测方法及设备、储存介质
申请号:CN202511234364
申请日期:2025-09-01
公开号:CN120724875B
公开日期:2025-11-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种半导体器件刻蚀结构预测方法及设备、储存介质。本发明获取待刻蚀半导体结构在不同刻蚀工艺条件下的三维刻蚀演化仿真数据;从三维刻蚀演化仿真数据中提取二维截面图像;基于上述二维截面图像生成在高时间分辨率下的刻蚀形貌演化序列;由在高时间分辨率下的刻蚀形貌演化序列,得到半导体结构的刻蚀后目标轮廓图像。构建基于深度学习的轮廓预测模型,利用数据集对其进行训练;基于深度学习的轮廓预测模型的输入包括刻蚀工艺条件、以及半导体结构的刻蚀前初始轮廓图像,输出为随刻蚀时间演化的刻蚀后预测轮廓图像。本发明将物理建模与数据驱动方法相结合,实现了刻蚀过程的高精度预测和智能优化控制,提高了工艺稳定性和产品良率。
技术关键词
刻蚀工艺条件 轮廓图像 仿真数据 刻蚀形貌 刻蚀半导体 初始轮廓 演化特征 三维半导体结构 刻蚀结构 分辨率 半导体刻蚀工艺 蒙特卡洛算法 序列 数据驱动方法 半导体器件 生成代表 高深宽比
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