零温度系数电流产生电路系统

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零温度系数电流产生电路系统
申请号:CN202511248788
申请日期:2025-09-03
公开号:CN120848678A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明涉及零温度系数电流产生电路系统,包括负温度系数电流产生电路,第一PMOS管的源极与第一NPN晶体管的集电极连接,第一NPN晶体管的发射极与第一VBE_CTAT电压端连接,第三电阻与第二PMOS管的源极连接,第三电阻和第二PMOS管的源极的连接点处与第一VBE_CTAT电压端连接,第二PMOS管的栅极与第三PMOS管的栅极连接,第三PMOS管的源极与第一NMOS管的漏极连接,负温度系数电流产生电路的结构,使负温度系数电流产生电路只需要0.8V就能够工作,实现了低电压的零温度系数电流产生电路,降低了功耗。零温度系数电流产生电路系统无需运用运算放大器,解决了因运算放大器的引入导致功耗增加、芯片面积增大,并因器件失配而降低输出精度的问题。
技术关键词
PMOS管 NPN晶体管 负温度系数电流 NMOS管 电路系统 正温度系数 零温度系数电流 栅极 电阻 运算放大器 衬底 电压 镜像 电流镜 功耗 芯片
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