基于变容二极管的可调谐半模基片集成波导的元光栅漏波天线

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推荐专利
基于变容二极管的可调谐半模基片集成波导的元光栅漏波天线
申请号:CN202511251082
申请日期:2025-09-03
公开号:CN120854920A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本发明公开了基于变容二极管的可调谐半模基片集成波导的元光栅漏波天线,涉及天线技术领域,包括以下步骤:步骤一:天线的结构构成,采用元光栅漏波天线基于HMSIW结构,主要由以下部分组成:HMSIW波导:HMSIW由介质基板、上下金属层和一排金属化通孔组成。本发明通过变容二极管嵌入元光栅单元,通过改变电容值调节单元的等效阻抗,影响电磁波的传播路径和辐射方向,HMSIW作为载体,提供低损耗波导环境,其开放侧边实现高效辐射,这种多层次设计显著提升了天线的性能和灵活性。
技术关键词
半模基片集成波导 变容二极管 漏波天线 光栅 介质基板 电容 金属化 等效电路模型 周期性结构 波束 耦合结构 馈电网络 射频电路 调节单元 电压 微带线 金属条
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