晶圆表面缺陷的检测方法、装置及半导体制造系统

本申请提供了一种晶圆表面缺陷的检测方法、装置及半导体制造系统，涉及集成电路制造技术领域，本申请在晶圆加工的不同工艺阶段，对目标晶圆进行表面扫描，分别生成与各工艺阶段对应的颗粒分布图；其中，各颗粒分布图用于表征工艺引入的颗粒，以及裸片本身的颗粒；然后按照预设的比对顺序，依次比对各颗粒分布图，获取新增颗粒的颗粒信息，得到目标晶圆表面缺陷的检测结果。本申请由于增强了裸片颗粒的检测能力，能够更准确的反映化学机械抛光工艺真实引入的颗粒，提高了检测的准确性。