一种选区外延量子阱光探测芯片及其制造方法

本申请属于红外探测技术领域，公开了一种选区外延量子阱光探测芯片及其制造方法，包括底部电极、顶部电极、读出电路、高阻值硅衬底、第一掺杂锗层、量子阱吸收层、第二掺杂锗层和钝化层；高阻值硅衬底上开有多个以第一预设间隔分布的第一矩形凹槽；第一掺杂锗层、量子阱吸收层和第二掺杂锗层依次叠加在第一矩形凹槽内；预设数量且以第二预设间隔分布的第二矩形凹槽依次贯穿第一矩形凹槽内的第二掺杂锗层、量子阱吸收层和第一掺杂锗层；钝化层均匀覆盖在第二掺杂锗层、高阻值硅衬底和各个第二矩形凹槽的内壁上。本申请能够通过第一矩形凹槽的设计提升芯片的晶体完整性与界面连续性，提升芯片良率。