用于超级结MOS器件的电性能优化方法及系统

本申请涉及半导体技术领域，提供用于超级结MOS器件的电性能优化方法及系统。所述方法包括：在超级结MOS器件设置多个沟槽排布区域；在中心导通区域设置第一沟槽间距，在中间缓冲区域设置大于第一沟槽间距的第二沟槽间距，在终端过渡区域设置大于第二沟槽间距的第三沟槽间距，以解决超级结MOS器件中沟槽均匀排布时，中心区域电场集中导致击穿电压下降，同时终端区域导通能力过剩造成硅面积浪费的技术问题，达到通过沿沟槽排布方向设置梯度化的第一、第二、第三沟槽间距，使电场在中心导通区‑中间缓冲区‑终端过渡区平滑过渡、显著降低单位面积导通电阻并提升整体击穿电压和器件可靠性的技术效果。