一种一二次融合柱上断路器低延迟控制方法及系统

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一种一二次融合柱上断路器低延迟控制方法及系统
申请号:CN202511331500
申请日期:2025-09-18
公开号:CN120831927B
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本发明涉及断路器领域,具体涉及一种一二次融合柱上断路器低延迟控制方法及系统,方法包括FPGA同步采样电压、电流模拟信号并模数转换,内部硬件逻辑核并行计算至少含电流有效值、变化率及电压有效值的多维度电气特征量;MCU通过高速接口接收该特征量;MCU执行第一层级极速响应,比较电流变化率与预设门槛值,超限时由硬件电路直接生成第一跳闸信号;同时执行第二层级预测保护,运行自适应预测算法,基于历史与实时数据预测线路电气参数趋势,满足故障条件时生成第二跳闸信号;两信号发送至高速驱动模块,驱动断路器分闸。本申请缩短故障检测到跳闸的延迟,解决传统MCU串行处理延迟高问题,且自适应预测算法降低保护误动率。
技术关键词
柱上断路器 低延迟控制方法 现场可编程门阵列 氧化物半导体场效应晶体管 电气特征量 控制单元 有效值 高精度模数转换器 可编程逻辑阵列 电压传感器 电流传感器 实时数据 反时限过流保护 断路器本体 通信时钟频率 信号 驱动芯片
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沪ICP备2023015588号