基于温度检测的芯片底部填充优化方法

本发明涉及电子元件封装技术领域，具体涉及基于温度检测的芯片底部填充优化方法。该方法实时采集基板底部的表面温度分布图，进而将其与导热率分布图融合，得到的热源‑散热通道强度图。根据热源点和散热点之间的热量传递关系确定材料流动失衡度，结合实时的材料流动速度即可得到实时时刻下材料的流动风险指标。通过相邻时刻下的温度变化，获得局部热冲击，绘制热应力损伤图，最终在工艺结束后可对热应力损伤图实时获取的过程中进行复盘分析，确定工艺优化方向。本发明通过实时的信息获取，结合设计文件中的先验信息，对填充工艺过程中的空洞风险进行有效预警，并且基于提取出的特征能够对工艺进行合理的改进和优化，提高工艺可靠性。