单颗芯片、单颗芯片的制备方法及其封装结构

本发明公开了单颗芯片、单颗芯片的制备方法及其封装结构，通过该方法制备形成背面具有凹陷部的单颗芯片，凹陷部呈圆弧状，凹陷部表面设有金属层；单颗芯片正面为功能区，单颗芯片正面设有焊点。本发明还公开了包括背面具有凹陷部的单颗芯片的封装结构。本发明能够实现芯片背面差异化减薄与金属化工艺，芯片背面减薄后，芯片正面的功能区减少硅层厚度，可以有效改善产品的导通电阻参数指标，同时其芯片背部部分区域又保留了一定硅层厚度，可以有效保障产品的内部结构支撑的问题。