边缘耦合器及光子集成芯片

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推荐专利
边缘耦合器及光子集成芯片
申请号:CN202511339811
申请日期:2025-09-18
公开号:CN121008355A
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本申请涉及一种边缘耦合器及光子集成芯片,其中边缘耦合器包括芯层,设定芯层预设光传输方向为第一方向,第二方向与芯层厚度方向平行,第三方向与第一方向和第二方向均垂直;芯层具有沿第二方向堆叠的第一波导层、第二波导层和第三波导层;芯层具有主传输光路;芯层包括:第一波导,位于第一波导层;第三波导,位于第三波导层;波导组,位于第二波导层,包括两个第一子波导;波导组用于将光耦合至主传输光路;其中,沿第一方向,第一子波导包括沿第一方向依次设置的第一段和第二段;沿第一方向,第一段的第三方向宽度呈线性增加,第二段的第三方向宽度呈线性减小。该边缘耦合器能不受波导尺寸限制地扩张模场,并优化光约束能力,耦合效率更高。
技术关键词
波导 边缘耦合器 光子集成芯片 线性 光纤 阶梯式 二氧化硅 氮化硅 锥形 分段 纳米 包裹 尺寸
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