一种TGV互联结构、制备方法及光芯片

本申请涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种TGV互联结构、光芯片及制备方法，TGV互联结构包括基板、设置在所述基板第一侧表面的第一金属布线以及设置在所述基板第二侧表面的第二金属布线；所述基板上设有主金属通孔以及至少一个一级备用金属通孔；所述主金属通孔与所述一级备用金属通孔均贯穿所述基板，并通过所述第一金属布线和第二金属布线电性并联。本申请在高密度集成场景下能够有效提升封装系统的可靠性，同时能够确保器件的优良性能。