碳化硅外延工艺配方生成方法、装置、设备及存储介质

本发明涉及碳化硅技术领域，具体涉及碳化硅外延工艺配方生成方法、装置、设备及存储介质；获取历史实验工艺数据；根据预设的数据挑选条件和第二成分相关系数对历史实验工艺数据和预设的目标工艺指标进行求解，以得到一组候选可行解；根据预设的最小二乘回归算法和预设的期望因变量对一组候选可行解进行筛选，以得到工艺参数；根据工艺参数生成碳化硅外延工艺配方和评估报告；本方案通过定位碳化硅外延工艺关键调控因素，规避经验试错盲目性；经最小二乘回归算法一组候选可行解，并最终生成工艺配方，为工艺研发提供可解释复现方案，缩短周期、降低成本。