考虑总剂量电离辐射的碳化硅MOSFET健康状态评估方法

本发明提供的一种考虑总剂量电离辐射的碳化硅MOSFET健康状态评估方法，包括：S1.将实验碳化硅MOSFET进行功率循环实验，获取不同功率条件下的实验碳化硅MOSFET的导通阈值电压以及栅源电压；S2.构建芯片电阻模型，并基于步骤S1中的导通阈值电压以及栅源电压确定芯片老化电阻参数；S3.将实验碳化硅MOSFET在不同的总剂量的电离辐射下进行功率循环实验，获取实验碳化硅MOSFET的导通阈值电压以及栅源电压；S4.基于步骤S2中的芯片电阻模型计算实验碳化硅MOSFET的在电离辐射下的芯片老化电阻；S5.构建实验碳化硅MOSFET的芯片老化电阻与辐射总剂量之间的关系函数；S6.将获取待测碳化硅MOSFET的导通阈值电压和栅源电压以及电离辐射总剂量，并将获得参数代入芯片电阻与辐射总剂量之间的关系函数中确定待测碳化硅MOSFET的芯片老化电阻，再基于芯片老化电阻确定出封装电阻，并确定待测MOSFET的老化状态。