基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统

本发明公开了基于多参数耦合的半导体薄膜性能协同控制方法及系统，属于半导体材料制造技术领域，其具体包括：确定含等离子体功率密度等参数的控制参数集，建立多参数耦合响应模型；用拉丁超立方采样生成样本点，量化参数交互效应，结合图模型形成动态权重矩阵；实时监测等离子体发射光谱强度比等数据，与模型预测值对比并修正模型；基于修正模型和动态权重矩阵构建多目标优化问题，用共轭梯度法求解得最优参数配置；依最优配置交替施加高频脉冲与弛豫阶段，按斐波那契序列调制脉冲频率；最后基于基底温度，用S型曲线规划温度上升路径并叠加余弦调制，通入振荡补偿气体补偿反应物浓度偏差，实现材料制备工艺的精准优化。