一种芯片、提高芯片瞬态响应性能的方法、电子设备

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一种芯片、提高芯片瞬态响应性能的方法、电子设备
申请号:CN202511365927
申请日期:2025-09-24
公开号:CN120855882B
公开日期:2025-12-12
类型:发明专利
摘要
本申请实施例提供一种芯片、提高芯片瞬态响应性能的方法、电子设备,能够解决相关技术中负载或电源突变导致瞬态响应性能差的技术问题。该芯片的误差比较器实时反馈反馈电压和参考电压,在反馈电压小于参考电压的情况下,触发导通周期指令;导通时间发生器响应于导通周期指令,生成导通时间脉冲;控制模块接收误差比较器输出的反馈信号、导通时间发生器生成的导通时间脉冲,生成驱动时序;栅极驱动器根据驱动时序实现器件切换;反馈模块将输出电压按比例降至反馈电压;导通时间发生器为在负载变化的情况下,根据当前输出电压调节导通时间控制电容的充电电流,以调节当前导通时间。
技术关键词
导通时间发生器 导通时间控制 高电平开关 低电平开关 电压 沟道金属氧化物半导体 充电电流值 跨导放大器 电容 芯片 栅极驱动器 滤波 正电极 时序 场效应管 脉冲 控制模块 功能模块 误差 电阻
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