基于离子注入的硅基图像传感器及其制备方法

本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种基于离子注入的硅基图像传感器的制备方法。本发明通过离子注入的方式将离子注入光电二极管内，有利于形成表面结构复杂的光学调控结构。制备过程中通过热处理形成的稳定的光学调控结构，能够避免因蚀刻制程中因表面态及表面缺陷危害而带来的暗电流，有利于提升图像传感器芯片的电学特性。由于光电二极管与光学调控结构的折射率不同，因此光线一旦进入光学调控结构后，光学调控结构会起到聚光的作用；此外，光线经过光学调控结构后会发生反射，起到增加光程的作用，能够提升光在光电二极管中的响应，尤其能够提升近红外光在光电二极管中的响应，提升图像传感器的光电转换效率。