一种双芯片封装结构及其制备方法

首页 AI资讯 AI技术研报 AI监管政策 AI产品测评 AI商业项目 arena全球大模型排行榜 AI产品热榜 AI 源力市场 AI专利库 AI需求对接 AI新闻日报
下载 AITNT APP
🍎 iOS 下载 🤖 Android 下载
正文
推荐专利
一种双芯片封装结构及其制备方法
申请号:CN202511394433
申请日期:2025-09-28
公开号:CN120878562B
公开日期:2025-11-25
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种双芯片封装结构及其制备方法,所述方法包括:在载板上制作第一塑封层,第一塑封层中间部位进行第一大开孔;在第一大开孔制作共背极金属布线层并粘贴第一芯片,填充第一介质层;第一芯片上制作第二塑封层,第一塑封层进行第一铜柱开孔并在孔内制作第一铜柱;第一塑封层背面进行第二大开孔,粘贴第二芯片并填充第二介质层;第二介质层进行第二铜柱开孔并在孔内形成第二铜柱;制作第一布线金属层连接第二铜柱和内侧的第一铜柱;在第一塑封层下制作第三塑封层,形成第二布线金属层,连接第二芯片正面和外侧的第一铜柱;对第二塑封体开孔,制作引脚金属后形成焊盘完成封装。本发明能够提高散热效率,降低寄生效应,实现封装薄型化。
技术关键词
双芯片封装结构 金属布线层 布线金属层 背面电极 种子层 电镀工艺 介质 蚀刻 光刻胶 焊盘 正面 载板 效应
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号