一种半导体芯片中晶圆智能封测方法及系统

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一种半导体芯片中晶圆智能封测方法及系统
申请号:CN202511396049
申请日期:2025-09-28
公开号:CN120895491B
公开日期:2025-12-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体芯片中晶圆智能封测方法及系统,涉及半导体制造技术领域,包括,初始化磁电场协同参数,并通过多目标遗传算法对磁电场协同参数进行优化,并驱动核壳纳米颗粒对高精度通孔晶圆进行金属化填充,生成金属化通孔结构的晶圆;基于金属化通孔结构晶圆,通过激光多普勒频振谱分析法生成键合参数,并利用热超声虚拟工艺实现倒装互联,生成低缺陷键合晶圆;采用有限元反演算法,建立键合界面的应力分布图谱,并通过智能应力匹配算法构建抗热应力封装层,并对低缺陷键合晶圆进行封装;通过多目标遗传算法优化磁电场协同参数并驱动核壳纳米颗粒定向沉积,实现了金属化填充过程的精准控制。
技术关键词
高精度通孔 半导体芯片 核壳纳米颗粒 金属化 通孔结构 网格模型 表面三维形貌 反演算法 参数 数据融合算法 晶圆 声表面波谐振 应力 电场 形貌特征 Pearson相关系数 遗传算法 界面 多普勒
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