微米级单晶生长过程晶向实时调控方法及系统

本发明属于晶体生长技术领域，涉及到微米级单晶生长过程晶向实时调控方法及系统，其通过采集晶体生长界面区域的固有物理信号，生成原始信号数据，实现对晶体生长状态的实时微观监控，从所述原始信号数据中提取与晶向偏移关联的特征参数，生成晶向偏移特征向量，将所述晶向偏移特征向量输入预设映射模型，生成晶向偏移量化指标以计算局部热场调控指令，驱动微型热源阵列于晶体生长界面目标区域施加局部热场梯度以引导晶向回正，避免传统大范围温场调节带来的全局性热应力波动和新的晶体缺陷隐患，实现对晶向的柔性微调，大幅提升晶体生长的内部质量与均匀性，从而显著提升单晶质量与成品率。