一种多波段LED外延结构及其制备方法

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一种多波段LED外延结构及其制备方法
申请号:CN202511404102
申请日期:2025-09-29
公开号:CN120897586A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种多波段LED外延结构及其制备方法,涉及半导体技术领域。本发明多波段LED外延结构的多量子阱发光层包括依次层叠的第一长波蓝光多量子阱发光层、第二中波蓝光多量子阱发光层、第三短波蓝光多量子阱发光层和第四短波蓝光末量子阱发光层,通过对多量子阱发光层的结构改进,使得采用本发明外延结构制得的LED芯片,能够发出长波蓝光、中波蓝光和短波蓝光这三种不同波段的光,通过该具有三种波段蓝光的激发光源来激发红绿混合荧光粉层,能够产生全光谱白光LED光源,相比只有一种波段的蓝光LED芯片,其450nm以下的短波蓝光占比小,对人眼视网膜细胞损伤小,有利于实现具有高显色指数的健康全光谱白光LED光源。
技术关键词
短波蓝光 量子阱发光层 LED外延结构 多波段 GaN层 全光谱白光 半导体层 应力释放层 波长 层叠 周期性结构 电子阻挡层 压力 元素 蓝光LED芯片 LED光源 混合荧光粉 高显色指数 人眼视网膜
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