一种碳化硅器件结构及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅器件结构及其制备方法、芯片，通过设置P型重掺杂区与相邻位置的结型场效应管区之间由P型阱区隔离，N型重掺杂区与相邻位置的结型场效应管区之间由P型阱区隔离，相邻的结型场效应管区之间由P型阱区隔离，从而形成类超结结构，使得结型场效应管区可以具有更高掺杂浓度的施主掺杂，避免了拐角设置，使得耗尽区可以完全闭合，降低了器件的导通电阻，提升了器件的可靠性。