一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片

本申请属于功率器件技术领域，提供了一种新型栅极碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过在电流扩展层、P型阱区以及N型重掺杂区上形成有氮化镓层，氮化镓层覆盖P型阱区和电流扩展层，氧化镓层形成于氮化镓层上，高K介质层形成于氧化镓层上，栅极层形成于高K介质层上，从而由氮化镓层、氧化镓层以及高K介质层形成复合栅介质结构，有利于降低器件的导通电阻。