一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统

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一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统
申请号:CN202511406645
申请日期:2025-09-29
公开号:CN120928151A
公开日期:2025-11-11
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种碳化硅芯片的性能评估方法及评估系统,涉及半导体测试领域,从动态响应数据中分离出非线性扰动分量;基于非线性扰动分量构建链路传输补偿函数,通过链路传输补偿函数和动态响应数据确定动态特性参数;对动态特性参数进行多维频谱解析,得到高频性能参数,进而依据高频性能参数对碳化硅芯片进行热能效推导,得到能效趋势和能效热耦合特征;偏离异常值对碳化硅芯片进行多工况脉冲激励,得到多维补偿矩阵;基于多维补偿矩阵对能效趋势和能效热耦合特征进行自适应耦合补偿,进而得到碳化硅芯片的性能评估数据集,本申请可实现基于异常值驱动的多维自适应耦合补偿,以提高碳化硅芯片性能评估的可信度。
技术关键词
碳化硅芯片 性能评估方法 动态特性参数 耦合特征 能效 非线性 高频谐波分量 性能评估系统 链路 损耗特征 瞬态特征 功率 工况 电磁屏蔽测试 结温 数据 电磁干扰测试 矩阵
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