半导体器件和半导体器件版图的曲线型处理方法

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半导体器件和半导体器件版图的曲线型处理方法
申请号:CN202511411029
申请日期:2025-09-29
公开号:CN120895561A
公开日期:2025-11-04
类型:发明专利
摘要
本申请实施例公开了半导体器件和半导体器件版图的曲线型处理方法。该半导体器件,包括金属互连层;金属互连层的金属覆盖区域为由多个方向不同的边界线通过过渡线连接形成的封闭区域;相邻两条边界线之间的过渡线为根据两条边界线的相交关系确定的曲线,曲线的开口方向以及两条边界线的交点位于曲线的两侧。以形成金属互连层的相关线条的端点为处理对象,在相关线条换向的位置使用曲线进行过渡,实现对每个角度的全面覆盖调整,使得所有凹角位置的内切圆半径尽可能增加,每个凹角处应力分布集中效应减弱,避免形成裂纹,消除金属电迁移、连条或断条等现象,明显提升产品质量,延长芯片寿命。
技术关键词
半导体器件版图 光学邻近效应修正 金属互连层 线条 曲线 端点 延长芯片寿命 过渡线 计算机可执行指令 存储计算机程序 处理器 存储器 电子设备 关系 长轴 裂纹
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