一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法，该三结太阳电池自下而上依次为GaAs衬底、腐蚀截止层、接触层、顶电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、应变缓冲层、底电池、应力调节层、欧姆接触层。本发明通过在底电池层上生长应力调节层，不仅可以补偿底电池层对前两结电池层和衬底产生的压应变，而且可以在不影响功能层结构的情况下自由调节其晶格常数和厚度补偿因失配产生的应力，调节外延片的翘曲，有助于提高倒装电池芯片的生产良率和器件可靠性。