磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统

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磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统
申请号:CN202511418582
申请日期:2025-09-30
公开号:CN120895068B
公开日期:2025-12-30
类型:发明专利
摘要
本发明提供磁芯随机存储器读参考电路设计方法及系统,涉及电路设计技术领域,包括通过获取磁芯存储器参数规格并模拟生成比特线电流分布曲线,提取最大、最小电流值并划分电流调节区间,选择最高读取成功率区间的中值作为最优参考电流;进一步检测不同温度点的实际输出电流,建立温度补偿模型并设计补偿电路,最终转换为版图设计文件。本发明能精确确定最优参考电流并实现温度补偿,有效提高磁芯存储器的读取可靠性和稳定性。
技术关键词
读取成功率 随机存储器 设计补偿电路 电路设计方法 磁芯存储器 测试电流值 存储单元阵列 温度检测模块 计算机程序指令 模拟器 电路设计系统 版图 曲线 偏差 迭代优化算法
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