衬底互连封装方法和衬底互连封装结构

本发明提供了一种衬底互连封装方法和衬底互连封装结构，涉及芯片封装技术领域，该方法在基底线路层上形成光敏层，再去除部分光敏层后形成第一开口。然后在第一开口内形成堆叠线路层，再去除残留的光敏层形成第二开口，在第二开口内贴装第一芯片并形成第一包封层。然后贴装第二芯片并形成第二包封层，剥离载具后沿切割道切割，切割道可以沿堆叠线路层的中线和/或边缘，也可以沿第一包封层的中线和/或边缘。相较于现有技术，本发明在第一开口和第二开口内形成不同类型的封装结构，能够设置不同类型的封装产品，而在切割时，切割道能够沿不同位置进行切割，使得通过不同的切割手段能够产生不同类型的封装产品，提升了多样性。