基于芯片老化分析的微观结构变化追踪方法

本发明涉及数据分析技术领域，是基于芯片老化分析的微观结构变化追踪方法，具体包括：获取芯片出厂结构数据导入芯片变化预测模型，得到初始聚集稳定指数，进行芯片老化情况评估，若评估结果为待翻新等级，则进入芯片检修翻新流程；若评估结果为待回收等级，则构建物理场耦合迁移模型，分析输出芯片上贵金属原子初始的瞬时迁移速度；对邻近贵金属原子进行干扰分析，并对瞬时迁移速度进行修正补偿，追踪得到芯片上各个回收评估点位置的贵金属原子的聚集密度情况，并筛选出芯片的高潜力点。本发明解决了现有技术中，老化芯片上高潜力回收点识别效率低下的问题。