用于半导体刻蚀机的PID温度控制系统及方法

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用于半导体刻蚀机的PID温度控制系统及方法
申请号:CN202511432866
申请日期:2025-10-09
公开号:CN120909373A
公开日期:2025-11-07
类型:发明专利
摘要
本发明公开了用于半导体刻蚀机的PID温度控制系统及方法,涉及温度控制领域,包括耦合关系构建模块、温感置信模块、解耦补偿模块、耦合关系动态更新模块和瞬态温变控制模块。本发明通过构建耦合关系矩阵及其逆矩阵,实现多区域温控的解耦控制,有效抑制交叉干扰,提升温控精度。引入多点测温融合与抗干扰算法,增强测温准确性与系统鲁棒性。采用响应残差向量与控制向量关联,动态优化耦合矩阵,使系统具备自学习与模型自适应能力,适应工况变化。设置瞬态温变快速响应机制,能够在温度剧变发生时提升控制优先级并调整PID参数,显著提高系统对异常温变的响应速度与控制稳定性,保障刻蚀过程的热均匀性与工艺一致性。
技术关键词
加热单元 温度控制系统 半导体 温控传感器 关系 刻蚀腔体 周期 PID控制器 估计温度 抑制交叉干扰 温度传感器 矩阵乘法运算 动态更新 抗干扰算法 模块 强度 功率
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