一种IGBT关断时间测量方法、系统、设备及介质

本发明提供了一种IGBT关断时间测量方法、系统、设备及介质，属于功率半导体器件测试技术与状态监测领域，该方法包括：首先选择20%Vdc与80%Vdc作为关断起始测量点，其次采用线性估计法进行第一次误差修正，通过最小二乘法对电压差Vce数据进行线性拟合获得初步关断时间；最后针对电压曲线固有凹凸性特征导致的系统性偏差，采用凸包算法进行第二次误差修正，通过Andrew算法获取ic‑tOFF关系曲线的下包络线，基于凸包准确点集辨识消除关断时间高估问题。本发明实现了低采样率条件下IGBT关断时间的精确测量，显著降低硬件成本，为IGBT状态监测和寿命预测提供可靠技术基础。